Infineon Technologies - IRF8302MTRPBF

KEY Part #: K6419102

IRF8302MTRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [91467पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.68043
  • 4,800 pcs$0.67705

भाग संख्या:
IRF8302MTRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 31A MX.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF8302MTRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF8302MTRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 31A MX
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 31A (Ta), 190A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.35V @ 150µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 53nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6030pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.8W (Ta), 104W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DIRECTFET™ MX
प्याकेज / केस : DirectFET™ Isometric MX

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