Vishay Semiconductor Diodes Division - FESB16JT-E3/81

KEY Part #: K6456275

FESB16JT-E3/81 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [93548पीसी स्टक]

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  • 800 pcs$0.38285
  • 1,600 pcs$0.28592
  • 2,400 pcs$0.26686
  • 5,600 pcs$0.25415

भाग संख्या:
FESB16JT-E3/81
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 600 Volt 50ns
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESB16JT-E3/81 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FESB16JT-E3/81
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 16A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.5V @ 16A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 50ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 145pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 150°C

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