Infineon Technologies - IRF9388TRPBF

KEY Part #: K6407566

IRF9388TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [272172पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.13590
  • 4,000 pcs$0.11658

भाग संख्या:
IRF9388TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9388TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF9388TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 12A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V, 20V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 8.5 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.4V @ 25µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1680pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.5W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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