Infineon Technologies - BSP321PH6327XTSA1

KEY Part #: K6420863

BSP321PH6327XTSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [274609पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.13469
  • 1,000 pcs$0.12933

भाग संख्या:
BSP321PH6327XTSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP321PH6327XTSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSP321PH6327XTSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
श्रृंखला : SIPMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 980mA (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 900 mOhm @ 980mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 380µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 319pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.8W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-SOT223-4
प्याकेज / केस : TO-261-4, TO-261AA

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