Rohm Semiconductor - SCT2160KEC

KEY Part #: K6404229

SCT2160KEC मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [6422पीसी स्टक]

  • 1 pcs$4.28360
  • 100 pcs$4.08441

भाग संख्या:
SCT2160KEC
निर्माता:
Rohm Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SCT2160KEC उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SCT2160KEC
निर्माता : Rohm Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 22A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 18V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 208 mOhm @ 7A, 18V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 2.5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 62nC @ 18V
Vgs (अधिकतम) : +22V, -6V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1200pF @ 800V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 165W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247
प्याकेज / केस : TO-247-3

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