[13512पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- TSM4N70CH C5G
- निर्माता:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N70CH C5G electronic components. TSM4N70CH C5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM4N70CH C5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM4N70CH C5G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TSM4N70CH C5G
निर्माता :
Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन :
MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
700V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
3.5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
595pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
56W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-251 (IPAK)
प्याकेज / केस :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- IRLM110ATF
- IRF644NPBF
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- FDMC0310AS-F127
- BSC205N10LS G
- IRLZ44ZL
- IXTP76N075T
- IPW65R080CFDFKSA1
- IRF3315STRR
- IRL630S
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- IPP076N15N5AKSA1
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- IRF100S201
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- IPB80N04S304ATMA1
- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3