Infineon Technologies - BSM35GD120DLCE3224BOSA1

KEY Part #: K6534473

BSM35GD120DLCE3224BOSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [815पीसी स्टक]

  • 1 pcs$56.97713

भाग संख्या:
BSM35GD120DLCE3224BOSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM35GD120DLCE3224BOSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSM35GD120DLCE3224BOSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Not For New Designs
IGBT प्रकार : -
कन्फिगरेसन : Full Bridge
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 70A
पावर - अधिकतम : 280W
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 2.6V @ 15V, 35A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 80µA
इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 2nF @ 25V
इनपुट : Standard
NTC थर्मिस्टर : No
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 125°C
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Module

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