Nexperia USA Inc. - PSMN4R1-60YLX

KEY Part #: K6420122

PSMN4R1-60YLX मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [162078पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.22821
  • 1,500 pcs$0.19251

भाग संख्या:
PSMN4R1-60YLX
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - DIACs, SIDACs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R1-60YLX उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : PSMN4R1-60YLX
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
श्रृंखला : TrenchMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 100A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 4.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 103nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 7853pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 238W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : LFPAK56, Power-SO8
प्याकेज / केस : SC-100, SOT-669

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