Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-10ETF02SPBF

KEY Part #: K6442781

VS-10ETF02SPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [7401पीसी स्टक]

  • 1,000 pcs$0.58818

भाग संख्या:
VS-10ETF02SPBF
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-10ETF02SPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-10ETF02SPBF
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 10A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.2V @ 10A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 200ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 100µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB (D²PAK)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C

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