भाग संख्या :
FDD24AN06LA0_SB82179
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
INTEGRATED CIRCUIT
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
7.1A (Ta), 40A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
19 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
21nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1850pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
75W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-252AA
प्याकेज / केस :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63