GeneSiC Semiconductor - S12JR

KEY Part #: K6425087

S12JR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [22785पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.80876
  • 200 pcs$1.36048

भाग संख्या:
S12JR
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4. Rectifiers 600V 12A REV Leads Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in GeneSiC Semiconductor S12JR electronic components. S12JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S12JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S12JR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : S12JR
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard, Reverse Polarity
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 12A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 12A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Chassis, Stud Mount
प्याकेज / केस : DO-203AA, DO-4, Stud
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-4
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 175°C
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS40E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

  • VS-18TQ045SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 18A D2PAK.