Vishay Siliconix - SIS776DN-T1-GE3

KEY Part #: K6393740

SIS776DN-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [202426पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.18363
  • 3,000 pcs$0.18272

भाग संख्या:
SIS776DN-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS776DN-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIS776DN-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
श्रृंखला : SkyFET®, TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 35A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 6.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1360pF @ 15V
FET फिचर : Schottky Diode (Body)
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -50°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® 1212-8
प्याकेज / केस : PowerPAK® 1212-8

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