Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP25J-E3/73

KEY Part #: K6440254

RGP25J-E3/73 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [322487पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.12103
  • 2,000 pcs$0.12043

भाग संख्या:
RGP25J-E3/73
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD. Rectifiers 2.5A, 600V, 250NS, FS, SUPERECT
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP25J-E3/73 electronic components. RGP25J-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP25J-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP25J-E3/73 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RGP25J-E3/73
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.3V @ 1A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 150ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : DO-201AD, Axial
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-201AD
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 175°C

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