Toshiba Semiconductor and Storage - TK5Q60W,S1VQ

KEY Part #: K6397766

TK5Q60W,S1VQ मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [55337पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.77767
  • 75 pcs$0.62776
  • 150 pcs$0.56499
  • 525 pcs$0.43944
  • 1,050 pcs$0.34443

भाग संख्या:
TK5Q60W,S1VQ
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - SCRs, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK5Q60W,S1VQ उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK5Q60W,S1VQ
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
श्रृंखला : DTMOSIV
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 5.4A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 900 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.7V @ 270µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 380pF @ 300V
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 60W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : I-PAK
प्याकेज / केस : TO-251-3 Stub Leads, IPak

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