STMicroelectronics - STP120N4F6

KEY Part #: K6396983

STP120N4F6 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [79234पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.05361
  • 10 pcs$0.95285
  • 100 pcs$0.76575
  • 500 pcs$0.59558
  • 1,000 pcs$0.49348

भाग संख्या:
STP120N4F6
निर्माता:
STMicroelectronics
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP120N4F6 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : STP120N4F6
निर्माता : STMicroelectronics
वर्णन : MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 80A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 4.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3850pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 110W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AB
प्याकेज / केस : TO-220-3

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