GL41BHE3/97 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [695844पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.05316
- 10,000 pcs$0.04817
- भाग संख्या:
- GL41BHE3/97
- निर्माता:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- विस्तृत विवरण:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41BHE3/97 electronic components. GL41BHE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41BHE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GL41BHE3/97 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
GL41BHE3/97
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
श्रृंखला :
SUPERECTIFIER®
भाग स्थिति :
Active
डायोड प्रकार :
Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
100V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.1V @ 1A
गति :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
-
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
10µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
DO-213AB, MELF (Glass)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DO-213AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-65°C ~ 175°C
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
EGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns
-
BYM07-150-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
तातो पार्ट्स
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18