Texas Instruments - CSD18543Q3AT

KEY Part #: K6418428

CSD18543Q3AT मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [162872पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.24535
  • 250 pcs$0.24413
  • 500 pcs$0.21575
  • 750 pcs$0.18849
  • 1,250 pcs$0.17032

भाग संख्या:
CSD18543Q3AT
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD18543Q3AT उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD18543Q3AT
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
श्रृंखला : NexFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 12A (Ta), 60A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 15.6 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.7V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 14.5nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1150pF @ 30V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 66W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-VSON (3.3x3.3)
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN

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