वर्णन :
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
श्रृंखला :
HiPerFET™, PolarP2™
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1000V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2.3A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
6V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
33.4nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1830pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
42W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220 Isolated Tab
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab