RQ3E120BNTB मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [622023पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.06574
- 3,000 pcs$0.06541
- भाग संख्या:
- RQ3E120BNTB
- निर्माता:
- Rohm Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB electronic components. RQ3E120BNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E120BNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ3E120BNTB उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
RQ3E120BNTB
निर्माता :
Rohm Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
12A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1500pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-HSMT (3.2x3)
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN
ताजा समाचारहरू
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तातो पार्ट्स
- BUK753R4-30B,127
- NP180N055TUJ-E2-AY
- NVMFS5C645NLWFT3G
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