Toshiba Semiconductor and Storage - 2SC4213BTE85LF

KEY Part #: K6379423

2SC4213BTE85LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1113349पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03339
  • 3,000 pcs$0.03322
  • 6,000 pcs$0.02990

भाग संख्या:
2SC4213BTE85LF
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
TRANS NPN 20V 0.3A USM.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2SC4213BTE85LF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 2SC4213BTE85LF
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : TRANS NPN 20V 0.3A USM
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : NPN
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 300mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 20V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 100mV @ 3mA, 30A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 100nA (ICBO)
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 350 @ 4mA, 2V
पावर - अधिकतम : 100mW
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 30MHz
अपरेटिंग तापमान : 125°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SC-70, SOT-323
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : USM

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