ON Semiconductor - FDN352AP

KEY Part #: K6421082

FDN352AP मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [746736पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04978
  • 3,000 pcs$0.04953

भाग संख्या:
FDN352AP
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in ON Semiconductor FDN352AP electronic components. FDN352AP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN352AP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDN352AP उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FDN352AP
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
श्रृंखला : PowerTrench®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1.3A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 180 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1.9nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 150pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SuperSOT-3
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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