भाग संख्या :
BSB012NE2LXIXUMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
170A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
82nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
5852pF @ 12V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.8W (Ta), 57W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
MG-WDSON-2, CanPAK M™