Infineon Technologies - BSB012NE2LXIXUMA1

KEY Part #: K6419160

BSB012NE2LXIXUMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [95125पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.41105
  • 5,000 pcs$0.30541

भाग संख्या:
BSB012NE2LXIXUMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSB012NE2LXIXUMA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSB012NE2LXIXUMA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 170A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 5852pF @ 12V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.8W (Ta), 57W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : MG-WDSON-2, CanPAK M™
प्याकेज / केस : 3-WDSON

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