ON Semiconductor - NSTB60BDW1T1G

KEY Part #: K6529961

NSTB60BDW1T1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1797796पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.02057
  • 15,000 pcs$0.01454

भाग संख्या:
NSTB60BDW1T1G
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in ON Semiconductor NSTB60BDW1T1G electronic components. NSTB60BDW1T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSTB60BDW1T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSTB60BDW1T1G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NSTB60BDW1T1G
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 150mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) : 22 kOhms
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : 47 kOhms
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 500nA
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 140MHz
पावर - अधिकतम : 250mW
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SC-88/SC70-6/SOT-363

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