GeneSiC Semiconductor - MURTA600120

KEY Part #: K6468639

MURTA600120 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [671पीसी स्टक]

  • 1 pcs$69.19588
  • 18 pcs$38.91334

भाग संख्या:
MURTA600120
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 600A Si Super Fast Recovery
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA600120 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : MURTA600120
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड कन्फिगरेसन : 1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 300A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 2.6V @ 300A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 25µA @ 1200V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Three Tower
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Three Tower
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