Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETH3007T-N3

KEY Part #: K6443398

VS-ETH3007T-N3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [61527पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.62297
  • 10 pcs$0.55691
  • 25 pcs$0.52865
  • 100 pcs$0.43420
  • 250 pcs$0.40586
  • 500 pcs$0.33928
  • 1,000 pcs$0.26785
  • 2,500 pcs$0.25000
  • 5,000 pcs$0.23809

भाग संख्या:
VS-ETH3007T-N3
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETH3007T-N3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-ETH3007T-N3
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
श्रृंखला : FRED Pt®
भाग स्थिति : Obsolete
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 650V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 30A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 2.1V @ 30A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 37ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 30µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AC
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C

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