ON Semiconductor - FCMT125N65S3

KEY Part #: K6397446

FCMT125N65S3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [31180पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.32179

भाग संख्या:
FCMT125N65S3
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
SF3 650V 125MOHM MOSFET.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCMT125N65S3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FCMT125N65S3
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : SF3 650V 125MOHM MOSFET
श्रृंखला : SuperFET® III
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 24A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 125 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.5V @ 590µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1920pF @ 400V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 181W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 4-PQFN (8x8)
प्याकेज / केस : 4-PowerTSFN

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