Toshiba Semiconductor and Storage - TK14E65W,S1X

KEY Part #: K6392790

TK14E65W,S1X मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [30561पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.48516
  • 10 pcs$1.34105
  • 100 pcs$1.02238
  • 500 pcs$0.79518
  • 1,000 pcs$0.65887

भाग संख्या:
TK14E65W,S1X
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W,S1X electronic components. TK14E65W,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK14E65W,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK14E65W,S1X उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK14E65W,S1X
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
श्रृंखला : DTMOSIV
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 13.7A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 690µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1300pF @ 300V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 130W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220
प्याकेज / केस : TO-220-3

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ