Rohm Semiconductor - SCT3120ALGC11

KEY Part #: K6416110

SCT3120ALGC11 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [12256पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.59572

भाग संख्या:
SCT3120ALGC11
निर्माता:
Rohm Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET NCH 650V 21A TO247N.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SCT3120ALGC11 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SCT3120ALGC11
निर्माता : Rohm Semiconductor
वर्णन : MOSFET NCH 650V 21A TO247N
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 21A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 18V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 156 mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5.6V @ 3.33mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 38nC @ 18V
Vgs (अधिकतम) : +22V, -4V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 460pF @ 500V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 103W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247N
प्याकेज / केस : TO-247-3

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