ON Semiconductor - FQU17P06TU

KEY Part #: K6407031

FQU17P06TU मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [76032पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.45573
  • 10 pcs$0.39761
  • 100 pcs$0.29014
  • 500 pcs$0.21491
  • 1,000 pcs$0.17193

भाग संख्या:
FQU17P06TU
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU17P06TU उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FQU17P06TU
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
श्रृंखला : QFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 12A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 135 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 900pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : I-PAK
प्याकेज / केस : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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