ON Semiconductor - MUN5212DW1T1G

KEY Part #: K6529618

MUN5212DW1T1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1941486पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01905
  • 3,000 pcs$0.01758
  • 6,000 pcs$0.01528
  • 15,000 pcs$0.01299
  • 30,000 pcs$0.01222
  • 75,000 pcs$0.01146
  • 150,000 pcs$0.01019

भाग संख्या:
MUN5212DW1T1G
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUN5212DW1T1G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : MUN5212DW1T1G
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 100mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) : 22 kOhms
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : 22 kOhms
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 60 @ 5mA, 10V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 250mV @ 300µA, 10mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 500nA
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : -
पावर - अधिकतम : 250mW
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SC-88/SC70-6/SOT-363

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