IXYS - IXTU06N120P

KEY Part #: K6417419

IXTU06N120P मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [30561पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.49081
  • 75 pcs$1.48340

भाग संख्या:
IXTU06N120P
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTU06N120P उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXTU06N120P
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 600mA (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : -
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : -
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : -
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -
अपरेटिंग तापमान : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-251
प्याकेज / केस : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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