CRZ18(TE85L,Q,M) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [527177पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.07016
- भाग संख्या:
- CRZ18(TE85L,Q,M)
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18(TE85L,Q,M) electronic components. CRZ18(TE85L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CRZ18(TE85L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CRZ18(TE85L,Q,M) उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
CRZ18(TE85L,Q,M)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
भोल्टेज - जेनर (नाम) (Vz) :
18V
सहनशीलता :
±10%
पावर - अधिकतम :
700mW
प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt) :
30 Ohms
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
10µA @ 13V
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1V @ 200mA
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SOD-123F
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
S-FLAT (1.6x3.5)
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