Vishay Semiconductor Diodes Division - S1AFJ-M3/6B

KEY Part #: K6428853

S1AFJ-M3/6B मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1160314पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03364
  • 14,000 pcs$0.03347

भाग संख्या:
S1AFJ-M3/6B
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 600V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1AFJ-M3/6B उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : S1AFJ-M3/6B
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 1A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 1.47µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 7.9pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-221AC, SMA Flat Leads
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-221AC (SlimSMA)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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