ON Semiconductor - NHPM120T3G

KEY Part #: K6426789

NHPM120T3G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1022091पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03619
  • 12,000 pcs$0.02702

भाग संख्या:
NHPM120T3G
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE. Rectifiers PUF1A 200V IN PWRMIT
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NHPM120T3G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NHPM120T3G
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1V @ 1A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 25ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 500nA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-216AA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Powermite
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 175°C

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