Microsemi Corporation - APTM100H80FT1G

KEY Part #: K6524319

[3872पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    APTM100H80FT1G
    निर्माता:
    Microsemi Corporation
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Microsemi Corporation APTM100H80FT1G electronic components. APTM100H80FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H80FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM100H80FT1G उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : APTM100H80FT1G
    निर्माता : Microsemi Corporation
    वर्णन : MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : 4 N-Channel (H-Bridge)
    FET फिचर : Standard
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1000V (1kV)
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 11A
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 960 mOhm @ 9A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 1mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 150nC @ 10V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3876pF @ 25V
    पावर - अधिकतम : 208W
    अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
    प्याकेज / केस : SP1
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SP1

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