Nexperia USA Inc. - BUK7Y18-75B,115

KEY Part #: K6416201

BUK7Y18-75B,115 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [238385पीसी स्टक]

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भाग संख्या:
BUK7Y18-75B,115
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK7Y18-75B,115 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BUK7Y18-75B,115
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 75V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 49A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2173pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 105W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : LFPAK56, Power-SO8
प्याकेज / केस : SC-100, SOT-669

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