Infineon Technologies - BSZ123N08NS3GATMA1

KEY Part #: K6420262

BSZ123N08NS3GATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [175953पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.21021

भाग संख्या:
BSZ123N08NS3GATMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ123N08NS3GATMA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSZ123N08NS3GATMA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 10A (Ta), 40A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 12.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 33µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1700pF @ 40V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.1W (Ta), 66W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TSDSON-8
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN

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