IAUT260N10S5N019ATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [32560पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.26576
- भाग संख्या:
- IAUT260N10S5N019ATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET75V120V.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IAUT260N10S5N019ATMA1 electronic components. IAUT260N10S5N019ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IAUT260N10S5N019ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IAUT260N10S5N019ATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IAUT260N10S5N019ATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET75V120V
श्रृंखला :
OptiMOS™-5
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
260A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.8V @ 210µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
166nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
11830pF @ 50V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
300W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-HSOF-8-1
प्याकेज / केस :
8-PowerSFN
ताजा समाचारहरू
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