IXYS - IXFN50N120SIC

KEY Part #: K6396411

IXFN50N120SIC मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1520पीसी स्टक]

  • 1 pcs$28.47998

भाग संख्या:
IXFN50N120SIC
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN50N120SIC उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXFN50N120SIC
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 47A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 20V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.2V @ 2mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 100nC @ 20V
Vgs (अधिकतम) : +20V, -5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1900pF @ 1000V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-227B
प्याकेज / केस : SOT-227-4, miniBLOC

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