Toshiba Semiconductor and Storage - TK35E10K3(S1SS-Q)

KEY Part #: K6418622

TK35E10K3(S1SS-Q) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [70977पीसी स्टक]

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  • 50 pcs$0.60591

भाग संख्या:
TK35E10K3(S1SS-Q)
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK35E10K3(S1SS-Q) उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK35E10K3(S1SS-Q)
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : -
टेक्नोलोजी : -
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : -
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : -
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : -
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : -
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : -
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -
अपरेटिंग तापमान : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220
प्याकेज / केस : TO-220-3

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