Microsemi Corporation - APTM120H140FT1G

KEY Part #: K6522571

APTM120H140FT1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2247पीसी स्टक]

  • 1 pcs$19.26652
  • 100 pcs$19.03968

भाग संख्या:
APTM120H140FT1G
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120H140FT1G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APTM120H140FT1G
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1200V (1.2kV)
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 145nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3812pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 208W
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : SP1
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SP1

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