TPCP8J01(TE85L,F,M मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [322487पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.11469
- भाग संख्या:
- TPCP8J01(TE85L,F,M
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8J01(TE85L,F,M electronic components. TPCP8J01(TE85L,F,M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCP8J01(TE85L,F,M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPCP8J01(TE85L,F,M उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TPCP8J01(TE85L,F,M
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
32V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
5.5A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
35 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1760pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.14W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PS-8
प्याकेज / केस :
8-SMD, Flat Lead
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