FEPB16DTHE3/81 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [88335पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.44264
- 800 pcs$0.41079
- भाग संख्या:
- FEPB16DTHE3/81
- निर्माता:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- विस्तृत विवरण:
- DIODE ARRAY GP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 16A 200V 35ns Dual 200 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FEPB16DTHE3/81 electronic components. FEPB16DTHE3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FEPB16DTHE3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FEPB16DTHE3/81 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
FEPB16DTHE3/81
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE ARRAY GP 200V 8A TO263AB
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
डायोड कन्फिगरेसन :
1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार :
Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
200V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) :
8A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
950mV @ 8A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
35ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
10µA @ 200V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-263AB
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- NTSB40200CTT4G
- DCB010-TB-E
- VS-40CTQ045-N3
- VS-16CTQ100GSPBF
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- SBT100-10G
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- MBRF10H100CTHE3/45
- MBRB1535CT-E3/45
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- MBRB10H100CTHE3/81
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