GeneSiC Semiconductor - GB50SLT12-247

KEY Part #: K6440453

GB50SLT12-247 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2232पीसी स्टक]

  • 1 pcs$53.42911
  • 10 pcs$50.09191
  • 25 pcs$47.75407
  • 100 pcs$45.08252

भाग संख्या:
GB50SLT12-247
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 50A SiC POWER SCHOTTKY DIODE
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB50SLT12-247 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : GB50SLT12-247
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Not For New Designs
डायोड प्रकार : Silicon Carbide Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 50A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.8V @ 50A
गति : No Recovery Time > 500mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 0ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1mA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : 2940pF @ 1V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-247-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247AC
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • VS-80APS08-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM

  • 1N5060GP-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC. Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt Glass Passivated

  • 1N5621GP-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1.0A 800 Volt 300ns 50 Amp IFSM