IXFR120N20 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [5628पीसी स्टक]
- 1 pcs$8.89560
- 30 pcs$8.85135
- भाग संख्या:
- IXFR120N20
- निर्माता:
- IXYS
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in IXYS IXFR120N20 electronic components. IXFR120N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR120N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFR120N20 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IXFR120N20
निर्माता :
IXYS
वर्णन :
MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247
श्रृंखला :
HiPerFET™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
105A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 8mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
360nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
9100pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
417W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ISOPLUS247™
प्याकेज / केस :
ISOPLUS247™
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3