Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB150TH120N

KEY Part #: K6533227

VS-GB150TH120N मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [205पीसी स्टक]

  • 1 pcs$225.27883
  • 12 pcs$178.28846

भाग संख्या:
VS-GB150TH120N
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB150TH120N उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-GB150TH120N
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
IGBT प्रकार : -
कन्फिगरेसन : Half Bridge
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 300A
पावर - अधिकतम : 1008W
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 2.35V @ 15V, 150A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 5mA
इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 11nF @ 25V
इनपुट : Standard
NTC थर्मिस्टर : No
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Double INT-A-PAK (3 + 4)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Double INT-A-PAK

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