[6282पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- HN3C51F-GR(TE85L,F
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F electronic components. HN3C51F-GR(TE85L,F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN3C51F-GR(TE85L,F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN3C51F-GR(TE85L,F उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
HN3C51F-GR(TE85L,F
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Obsolete
ट्रान्जिस्टर प्रकार :
2 NPN (Dual)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) :
100mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) :
120V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी :
300mV @ 1mA, 10mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) :
100nA (ICBO)
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce :
200 @ 2mA, 6V
पावर - अधिकतम :
300mW
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण :
100MHz
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SC-74, SOT-457
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SM6
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- ZDT617TC
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- EMZ1DXV6T5G
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- BC846S/DG/B2F
- MD8002
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- SMBT3904PNE6327HTSA1
- ZXTD2M832TA
- ZDT694TC
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- BC848CDXV6T5G
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- DMMT3906W-7
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