Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-1EFH02HM3/I

KEY Part #: K6455314

VS-1EFH02HM3/I मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [792956पीसी स्टक]

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  • 30,000 pcs$0.03887

भाग संख्या:
VS-1EFH02HM3/I
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rct 1A 200V
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - DIACs, SIDACs and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-1EFH02HM3/I उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-1EFH02HM3/I
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 930mV @ 1A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 25ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 2µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-219AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-219AB (SMF)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C

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  • VS-1EFH02HM3/I

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    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rct 1A 200V

  • VS-2EFH02HM3/I

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