Renesas Electronics America Inc. - HIP6601BCB-T

KEY Part #: K1221920

[5454पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    HIP6601BCB-T
    निर्माता:
    Renesas Electronics America Inc.
    विस्तृत विवरण:
    IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ईन्टरफेस - फिल्टर - सक्रिय, इम्बेडेड - FPGAs (क्षेत्र प्रोग्रामिंग गेट एरे) मा, ईन्टरफेस - विशेषज्ञता प्राप्त, ईन्टरफेस - प्रत्यक्ष डिजिटल संश्लेषण (डीडीएस), ईन्टरफेस - सिग्नल बफरहरू, रिपीटरहरू, स्प्लिटरहरू, ईन्टरफेस - ड्राइभरहरू, रसिभरहरू, ट्रान्ससिभरहरू, मेमोरी - ब्याट्री and डाटा अधिग्रहण - डिजिटल कन्भर्टरहरूको एनालग (एडीसी) ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Renesas Electronics America Inc. HIP6601BCB-T electronic components. HIP6601BCB-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HIP6601BCB-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HIP6601BCB-T उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : HIP6601BCB-T
    निर्माता : Renesas Electronics America Inc.
    वर्णन : IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8-SOIC
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    ड्राइभ कन्फिगरेसन : Half-Bridge
    च्यानल प्रकार : Synchronous
    चालकहरूको संख्या : 2
    गेट प्रकार : N-Channel MOSFET
    भोल्टेज - आपूर्ति : 10.8V ~ 13.2V
    तर्क भोल्टेज - VIL, VIH : -
    वर्तमान - चुचुरो आउटपुट (स्रोत, सिंक) : -
    इनपुट प्रकार : Non-Inverting
    उच्च साइड भोल्टेज - अधिकतम (बुटस्ट्र्याप) : 15V
    उठ्नुहोस् / पतन समय (प्रकार) : 20ns, 20ns
    अपरेटिंग तापमान : 0°C ~ 125°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SOIC
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