Texas Instruments - CSD23381F4

KEY Part #: K6419787

CSD23381F4 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1140504पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03243
  • 3,000 pcs$0.02270

भाग संख्या:
CSD23381F4
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD23381F4 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD23381F4
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
श्रृंखला : NexFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.3A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 175 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1.14nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : -8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 236pF @ 6V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 3-PICOSTAR
प्याकेज / केस : 3-XFDFN

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